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英特爾這幾年在制程的研發(fā)投入上可以說前所未有，畢竟距離臺積電的制程水平有著一定的差距，也讓英特爾感到有點不能接受。當然這幾年英特爾在制程上的進展也是十分地迅速，接連推出Intel 7、Intel 4、Intel 3，并且預計將會在今年推出Intel 20A以及Intel 18A等工藝，而在最新的路線圖中，英特爾已經添加了Intel 14A和10A工藝。在一次技術會議上，英特爾介紹了Intel 14A的部分技術細節(jié)。

在一次光學技術會議上，英特爾向行業(yè)內人士透露了最新的Intel 14A工藝的技術細節(jié)。首先是性能，根據(jù)英特爾的介紹，Intel 14A將會比目前的Intel 18A在晶體管密度上提升20%，而在能效上提升15%。此外英特爾也將計劃打造Intel 14A-E工藝，相比較初代Intel 14A在性能上提升5%。

當然想要實現(xiàn)如此先進的工藝，就需要強大的光刻機，之前英特爾訂購了ASML最新的高NA光刻機，造價達到了數(shù)十億人民幣，而未來英特爾也將使用高NA光刻機從事晶圓的制造。英特爾表示高NA光刻機將會在Intel 14A上正式應用，而Intel 18A主要是作為新的光刻技術的訓練與學習。

英特爾還表示已經有很多客戶打算基于Intel 18A工藝從事芯片設計與研發(fā)，不過Intel最新的14A工藝還沒有客戶官宣。對于英特爾來說，隨著設計與代工部門的分家，未來英特爾代工部門將會為芯片設計企業(yè)制造更多的晶圓，自然在制程技術上比主要對手臺積電更加出色。