三星率先量產(chǎn)96層TLC V-NAND閃存芯片，大容量SSD或?qū)⑵占?/a>三星率先量產(chǎn)96層TLC V-NAND閃存芯片，大容量SSD或?qū)⑵占?/h2>
徐偉杰 / 2018-07-11 11:4683634
在NAND Flash市場行情日漸疲軟的當(dāng)下，誰能夠先做出技術(shù)突破，誰就能大幅提振自身業(yè)績、乃至整個行情。
據(jù)最新消息，三星宣布了已經(jīng)開量產(chǎn)第五代96層V-NAND閃存顆粒，在與美光、西數(shù)和東芝的競爭中領(lǐng)先一步，率先進(jìn)入96層時代。
全新的第五代V-NAND相較上代的64層顆粒性能上有著大幅提升。其內(nèi)部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存單元，單模容256Gb（即32GB）。
由于首次采用了Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率最高可達(dá)1.4Gbps，比之上代提升了整整40%；其數(shù)據(jù)寫入速延遲僅為500 微妙，較前代提升了30%，讀取延遲大幅縮短至50微妙。而其工作電壓也從1.8V將至1.2V，能夠降低使用平臺的整體功耗。
三星還透露，未來還將推出QLC V-NAND閃存顆粒，其單模容量達(dá)到1Tb（即128GB）。QLC顆粒價格相比TLC更為低廉、容量也更大，被眾多廠家所推崇為SSD的普及產(chǎn)品。
在NAND閃存芯片市場持續(xù)走低的當(dāng)下，三星的突破無疑是一劑強(qiáng)心劑。96層堆疊技術(shù)能夠使NAND Flash芯片的價格更為親民，相信大容量SSD的普及在不久之后就會到來。
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徐偉杰 / 2018-07-11 11:4683634在NAND Flash市場行情日漸疲軟的當(dāng)下，誰能夠先做出技術(shù)突破，誰就能大幅提振自身業(yè)績、乃至整個行情。
據(jù)最新消息，三星宣布了已經(jīng)開量產(chǎn)第五代96層V-NAND閃存顆粒，在與美光、西數(shù)和東芝的競爭中領(lǐng)先一步，率先進(jìn)入96層時代。
全新的第五代V-NAND相較上代的64層顆粒性能上有著大幅提升。其內(nèi)部集成了超過850億個3D TLC CTF閃存單元，單模容256Gb（即32GB）。
由于首次采用了Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率最高可達(dá)1.4Gbps，比之上代提升了整整40%；其數(shù)據(jù)寫入速延遲僅為500 微妙，較前代提升了30%，讀取延遲大幅縮短至50微妙。而其工作電壓也從1.8V將至1.2V，能夠降低使用平臺的整體功耗。
三星還透露，未來還將推出QLC V-NAND閃存顆粒，其單模容量達(dá)到1Tb（即128GB）。QLC顆粒價格相比TLC更為低廉、容量也更大，被眾多廠家所推崇為SSD的普及產(chǎn)品。
在NAND閃存芯片市場持續(xù)走低的當(dāng)下，三星的突破無疑是一劑強(qiáng)心劑。96層堆疊技術(shù)能夠使NAND Flash芯片的價格更為親民，相信大容量SSD的普及在不久之后就會到來。
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