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【2024年10月17日 – 江蘇無錫】

近日，由I.S.E.S國際半導體高管峰會參與主辦的“2024國際汽車半導體創新發展交流會”在無錫盛大舉行，瑞能半導體首席戰略及商務運營官沈鑫作為代表受邀出席。本次交流會匯聚了來自全球的汽車與半導體領域的頂尖專家和企業高管，旨在聚焦汽車電子、功率半導體以及智能網聯技術的前沿發展，共探全球汽車產業智能化與綠色轉型升級的新機遇。

大會伊始，無錫市政協副主席、惠山區委書記吳建元致歡迎辭，表達了對進一步推動產業創新發展的堅定決心。近年來，惠山區緊密圍繞產業升級和技術創新，著力打造汽車電子和集成電路產業集群，未來將繼續加大投入，推動產業邁向更高水平。國際半導體高管峰會(ISES)總裁、聯合創始人Salah Nasri表示，“隨著新能源汽車和智能網聯汽車的發展，半導體技術將在推動汽車行業變革中發揮不可或缺的作用，全球協同創新就是應對未來技術挑戰的關鍵。”

全新視野，“種子選手”鎖定轉型新機遇

瑞能半導體首席戰略及商務運營官沈鑫在現場就圍繞“高電壓SiC MOSFET用于可再生能源應用，具有更簡單的設計和更高的功率密度”進行了深度分享。他強調，“從汽車到可再生能源，碳化硅的一系列場景應用正在改變電力電子領域。瑞能半導體憑借敏銳的行業嗅覺，早已意識到這一技術的重要性正在與日俱增，已經對碳化硅器件的開發和生產展開積極的布局。”

瑞能半導體首席戰略及商務運營官沈鑫

特別是在高壓電力電子系統中，與硅相比，碳化硅功率器件擁有更多的應用優勢。碳化硅不僅能夠提供比現有硅技術更高的操作電壓、更寬的溫度范圍和更高的開關頻率，而且工作損耗降低帶來了效率提升，同時也減少了散熱需求，整體系統成本有望降低約30%。

事實上，瑞能半導體SiC MOSFET系列產品具有高擊穿電壓、低比導通RDSON、高熱導率和高結溫（Tj）高門極可靠性等特點，允許SiC MOSFET處理比相近規格的Si MOSFET高得多的電流和電壓，因此功率密度更高。這些優勢可轉化為更低的功率變換損耗、更高的效率、更簡單的變換器拓撲結構以及更好的高溫性能。

應用場景優勢下，尋求更大突破

當下，碳化硅器件作為第三代半導體，已成為被多個行業所共同追捧的創新技術。市場分析顯示，碳化硅市場正在蓬勃發展，預計到2028年市場規模將達到50億美元。

基于碳化硅廣泛的應用場景，瑞能半導體正積極致力于碳化硅器件的開發和生產。在去年，位于上海金山高新區的瑞能半導體全球首座模塊工廠正式投入運營，專門生產應用于消費、通訊、新能源以及汽車相關的各類型功率模塊及分立器件產品，串聯客戶和生態圈，積極推動行業高質量發展。

近年來，瑞能半導體尤其關注快速擴張的電動汽車市場，在碳化硅生產過程中，瑞能通過使用經行業認證的代工廠，確保其車規半導體產品生產設施符合汽車行業的要求。為確保產品的可靠性和產品服務能力，瑞能還在運營自有的可靠性實驗室和故障分析中心，目前已經通過了CNAS實驗室認證。

在產品和技術布局方面，瑞能半導體SiC  MOSFET產品系列：覆蓋電壓范圍650V~2200V、擁有極具競爭力的比導通電阻（RON,SP）和包括頂部散熱和模塊產品在內的各種封裝類型，極大的拓寬了瑞能SiC 產品的應用范圍。特別需要指出的是，瑞能第二代SiC MOSFET擁有極強的短路能力，在18V和800V電壓下的短路耐受時間長達3.5uS，從而確保了可靠性，保證了足夠的短路保護時間，配合控制端采用多種靈活的短路保護策略可以有效避免了故障擴大化，確保器件應用安全。以上諸多特性非常適用于EV主逆變器和OBC等應用，有助于提升電動汽車效率和增加續航里程，同時最大程度確保應用安全。

此外，瑞能半導體的SiC MOSFET在推薦18V 驅動電壓以獲得更低的導通阻抗，突出設計經濟型，同時提供15V柵極驅動電壓下的RDSON明確標注，確保兼容性，器件設計可確保此較低驅動電壓下正常工作，也便于應用到硅器件的設計架構中。瑞能SiC MOS產品的柵氧設計經過特別的優化和嚴格的可靠性驗證，HTGB測試條件范圍達到了-12V~24V，試驗前后Vth均未發生明顯漂移， 最大程度上保證了長期應用安全。

瑞能會持續深耕SiC領域，不斷挖掘SiC 器件潛力，拓展SiC產品類型和應用范圍，最大程度上服務市場需求，領導產業升級，持續為市場貢獻高性能，高可靠，多樣化的SiC產品選擇，為客戶和產業鏈創造更大價值。

本次交流會匯聚全球行業專家及領先企業的技術分享與思想碰撞，瑞能半導體的受邀參與，不僅彰顯了瑞能在行業創新領域的領先地位，也進一步深化了其與廣大半導體制造商和設備制造商的交流與合作。未來，瑞能半導體將依托專業的技術和開發團隊，打造更多優質產品，為客戶提供更多優秀的解決方案，助推全球汽車半導體產業的發展與升級。