Intel公布了未來6個(gè)CPU新架構(gòu) 但10nm時(shí)代卻遠(yuǎn)不止如此而已

徐偉杰 / 2018-12-13 15:23136895

今年4月，大神級(jí)芯片架構(gòu)師Jim Keller加入了Intel。這位一手推動(dòng)了AMD的K8和Zen架構(gòu)兩次輝煌的大仙能夠?yàn)檗D(zhuǎn)型期的Intel帶來怎樣的變化，是我們所有人都極為好奇且關(guān)注的。

Intel近年來在挖角上的大動(dòng)作還不止于此。在不到一年前，也就是去年11月，他們從AMD挖來了AMD RTG部門主管、首席GPU架構(gòu)師Raja Koduri，由他擔(dān)當(dāng)自家GPU部門的首席架構(gòu)師，同時(shí)啟動(dòng)了高端獨(dú)顯的開發(fā)計(jì)劃。

顯然Intel是在不停求新求變的。外界對(duì)于其“祖?zhèn)?4nm工藝”和酷睿架構(gòu)安全漏洞問題的非議甚囂塵上，但I(xiàn)ntel還是在踏實(shí)地琢磨著自己下一步的發(fā)展。

終于，Jim Keller和Raja Koduri這二位在加入Intel后首次在重要活動(dòng)上攜手公開亮相——美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月12日，Intel在圣克拉拉舉辦了“架構(gòu)日”活動(dòng)。兩位如今Intel在CPU和GPU方面的頭面人物為我們分別披露、講解了相關(guān)的技術(shù)架構(gòu)，讓我們能夠了解到Intel在未來幾年中想要做什么，以及能夠做什么。（PS. 數(shù)年前這二位還都在AMD分別負(fù)責(zé)CPU和GPU部門的領(lǐng)導(dǎo)工作……）

CPU：3代6個(gè)消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域新架構(gòu)

Intel在活動(dòng)上很大方地公布了Core系列和Atom系列未來三代的名稱和技術(shù)特點(diǎn)。定位于高性能消費(fèi)級(jí)的Core系列未來三代將分別被命名為Sunny Cove、Willow Cove和Golden Cove。而Atom系列則延續(xù)了XXXmont的規(guī)則，未來三代為Tremont、Gracemont以及未定的“Next Mont”。

Sunny Cove和Tremont都將于2019年上市，值得注意的是，Intel表示從它們起10nm制程就正式安排上了。

先說說普通消費(fèi)者最關(guān)心的Core系列，尤其是離我們最近的2019款Sunny Cove。

Sunny Cove的提升重點(diǎn)包括：

1、單線程性能提升

2、更大的內(nèi)存容量支持

3、更大更快的高速緩存

4、對(duì)AI和加密運(yùn)算等特殊任務(wù)的支持

5、核心支持?jǐn)?shù)量更多

6、10nm制程

Sunny Cove將是下一代酷睿和至強(qiáng)處理器的基礎(chǔ)架構(gòu)，Intel稱將于明年晚些時(shí)候正式發(fā)布。（可能是下半年）

Willow Cove將于2020年面世，Intel將會(huì)對(duì)其緩存進(jìn)行重新設(shè)計(jì)，制造工藝也會(huì)進(jìn)一步成熟的而帶來更強(qiáng)的晶體管性能（或許是10nm+），還將具備新的安全特性。

Golden Cove將于2021年面世，到時(shí)候它可能會(huì)乘上7nm的快車（以Intel 10nm的經(jīng)驗(yàn)來看，希望不大），除了在單核性能上進(jìn)一步提升外，AI、5G等方面也會(huì)進(jìn)提升跟進(jìn)。

而定位于低功耗處理器的Atom系列，則更新節(jié)奏慢一些。

Tremont將于2019年推出，它將著力于單線程性能、網(wǎng)絡(luò)服務(wù)性能和功耗方面。如果10nm精度靠譜的話，那應(yīng)該沒跑了。

Gracemont將于2021年面世，將在單線程性能和頻率，以及矢量性能上進(jìn)一步強(qiáng)化。

而所謂的“Next Mont”則會(huì)在2023年或更早推出，Intel只表示會(huì)進(jìn)一步強(qiáng)化單線程性能和頻率，并未說明還有什么新特性。

GPU：2019年11代核顯，2020年全新獨(dú)顯

關(guān)注Intel核顯的人都知道，最近兩代的硬件更新似乎是陷入了停滯，自7代酷睿Kaby Lake之后，第9.5代核顯架構(gòu)就沒動(dòng)過。而Intel將會(huì)在Sunny Cove上跳過10代，直接上第11代核顯。

這也并不難理解。事實(shí)上，如果Sunny Cove采用的是10nm工藝的話，它也是Intel的第二代10nm CPU產(chǎn)品。別忘了那顆涼了半截的Cannon Lake，第10代應(yīng)該是對(duì)應(yīng)于它的。

第11代核顯將會(huì)配備64個(gè)增強(qiáng)型執(zhí)行單元（EUs），運(yùn)算規(guī)模是第九代的2倍，浮點(diǎn)運(yùn)算能超過1TFlops。顯示方面支持更高分辨率（8K？）、多屏輸出、HDR、適應(yīng)性同步；多媒體方面支持并行解碼、全新HEVC(H.265)編碼以及HDR色彩映射。

Intel稱第11代核顯的提升將是“飛躍性”的，他們也的確對(duì)自家的核顯進(jìn)行了了大刀闊斧的改良提升。最值得一提的就是第11代核顯開始支持瓦片式渲染（TBR）了，這也讓Intel成為繼NVIDIA（2014）和AMD（2017）之后第三家支持該特性的PC顯卡廠商。Intel稱，在結(jié)合了經(jīng)過改進(jìn)的無損內(nèi)存壓縮技術(shù)的情況下，第11代核顯的幾何性能最高能提升4%，整體提升10%。

除了看得見摸得著的第11代核顯，Raja Koduri還公布了Intel獨(dú)立顯卡業(yè)務(wù)的品牌：Xe。Intel對(duì)Xe系列顯卡的前景顯得雄心勃勃，他們稱Xe將從2020年開始，無論是在消費(fèi)級(jí)領(lǐng)域還是AI科研領(lǐng)域都能和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手們正面交鋒，從入門到頂尖全系產(chǎn)品一應(yīng)俱全。

Xe顯卡的起步就將是10nm，再加上Intel一點(diǎn)也不缺錢，又有Raja Koduri這樣的技術(shù)大拿領(lǐng)導(dǎo)，其競(jìng)爭(zhēng)力相當(dāng)值得期待。（Raja Koduri離開AMD的重要原因之一就是研發(fā)經(jīng)費(fèi)不夠充足）

Foveros 3D封裝：制程分工后的進(jìn)一步整合

如今我們都已經(jīng)知道，Intel一直以來所秉持的Tick-Tock模式已然名存實(shí)亡了。在制程工藝進(jìn)入個(gè)位數(shù)時(shí)代的節(jié)點(diǎn)上，Intel已經(jīng)不能繼續(xù)保持兩年一次的制程進(jìn)步，取而代之的或許將是成熟制程與先進(jìn)制程同時(shí)存在，而互有分工的情況。

Foveros 3D封裝工藝是一種3D堆疊封裝技術(shù)。具體原理很復(fù)雜，但效果解釋起來卻不難。簡(jiǎn)單來說，F(xiàn)overos 3D封裝工藝能夠?qū)⒏鞣N不同制程下的芯片組件，通過3D堆疊的形式封裝到一起。這么做的好處很多：

1、不同部分可以選擇最合適的制造工藝，以取得性能和成本上的最優(yōu)解，讓成熟制程和先進(jìn)制程得以在同一塊芯片上共存。

2、降低芯片面積，降低成本和功耗，并且讓各組件與內(nèi)存的距離都盡量接近，保證性能。

Intel用實(shí)物展示了這一成果，他們使用Foveros 3D封裝工藝，在一塊22FFL制程的IO芯片上放置了一組10nm CPU，其中包含1個(gè)Sunny Cove內(nèi)核和4個(gè)Atom內(nèi)核，同時(shí)集成的還有高速緩存模組、第11代核顯、4通道LPDDR4內(nèi)存控制器等其他功能模組，而其整體大小只有指甲蓋大小。

Intel正使用該工藝制造許多集成度更高的成品，或許它們會(huì)在2019年10nm成熟后迎來一輪爆發(fā)。

總結(jié)：10nm只是Intel的轉(zhuǎn)型地標(biāo)

可能外界對(duì)于Intel的關(guān)注重點(diǎn)更多地是放在10nm制程進(jìn)度以及配套的消費(fèi)級(jí)CPU上，看待它的眼光依舊是單純的CPU行業(yè)霸主。但I(xiàn)ntel自身卻早早地將目光脫離于“PC性能提升”這一終端領(lǐng)域，將戰(zhàn)略核心轉(zhuǎn)變?yōu)楦鼮槿只摹皵?shù)據(jù)處理與計(jì)算”。

Intel核心思路的轉(zhuǎn)變映射到產(chǎn)品上，則正好卡在了10nm制程這一節(jié)點(diǎn)。在進(jìn)入10nm時(shí)代之后，無論是面向AI、加密運(yùn)算和互聯(lián)的CPU、還是專注深度學(xué)習(xí)方向的獨(dú)顯、以及應(yīng)用于AI終端芯片制造的Foveros 3D封裝，都展現(xiàn)了Intel對(duì)下一步發(fā)展的布局方向——人工智能與數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)。

10nm只是Intel全面戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型的一個(gè)地標(biāo)，過了這個(gè)坎之后，就會(huì)是全面爆發(fā)了。

點(diǎn)個(gè)贊686