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目前英特爾在一次會(huì)議中表示將會(huì)在今后幾年研發(fā)7nm制程工藝，從而讓自家處理器的性能得到極大的提升，不過與英特爾相比的是，臺(tái)積電顯然在晶圓代工上走得更遠(yuǎn)，目前幾乎所有的尖端芯片的制造都離不開臺(tái)積電的代工。目前臺(tái)積電已經(jīng)順利量產(chǎn)了5nm制程工藝，而下一步就應(yīng)該朝著3nm甚至2nm前進(jìn)，對(duì)此臺(tái)積電也表示目前正在努力研發(fā)3nm乃至2nm制程工藝。

臺(tái)積電在一次報(bào)告中預(yù)測了2nm制程工藝的投產(chǎn)時(shí)間，臺(tái)積電表示目前對(duì)于2nm制程的研發(fā)十分地順利，已經(jīng)完成了部分的技術(shù)突破，臺(tái)積電也對(duì)2nm制程工藝的投產(chǎn)有很大的信心，至于投產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)上，臺(tái)積電表示如果一切順利的話，那么就可以在2023年實(shí)現(xiàn)風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，而在2024年正式將2nm制程進(jìn)行量產(chǎn)，也就是說大家大約需要等待3年的時(shí)間就可以看到臺(tái)積電的2nm制程工藝了。

除此之外，臺(tái)積電還稱眾多客戶都對(duì)2nm制程工藝有很大的興趣，比如說英偉達(dá)、AMD、高通、蘋果等都希望盡快采用2nm工藝來生產(chǎn)自己的芯片。臺(tái)積電表示在2nm制程工藝上，將會(huì)采用多橋通道場效應(yīng)晶體管這項(xiàng)技術(shù)，有效地降低漏電率，從而提升芯片的良率以及質(zhì)量。