臺(tái)積電首次公開3nm制程:基于FinFET工藝,2021年試產(chǎn)
白貓 / 2020-04-17 09:3133157雖然疫情已經(jīng)在全球肆虐,同時(shí)幾乎所有的行業(yè)受到了牽連,但是在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,臺(tái)積電的營(yíng)收和利潤(rùn)卻是節(jié)節(jié)攀升。而在最新發(fā)布的臺(tái)積電財(cái)報(bào)中,臺(tái)積電也首次公布了3nm制程工藝的詳情,稱臺(tái)積電計(jì)劃在2021年開始試產(chǎn)3nm工藝,同時(shí)希望能夠在2022年正式量產(chǎn)3nm制程。

臺(tái)積電已經(jīng)宣布原定于4月29日舉辦的技術(shù)論壇上公布3nm制程工藝的詳情,然而受疫情影響,本次技術(shù)會(huì)議將會(huì)被延期至8月份,因此臺(tái)積電才選擇在第一季度的財(cái)報(bào)上公布3nm制程的部分消息。臺(tái)積電表示目前3nm制程工藝的進(jìn)展比較順利,同時(shí)臺(tái)積電希望能夠在2021年實(shí)施3nm制程的風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),而在2022年下半年正式量產(chǎn)全新的3nm制程工藝。
而在材料選擇上,臺(tái)積電認(rèn)為目前的FinFET技術(shù)可以使用在3nm制程工藝上,因此仍然將采用這個(gè)成熟的工藝,而作為臺(tái)積電在晶圓代工領(lǐng)域最大的對(duì)手,三星也將寶押在了3nm制程上,將直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管,據(jù)三星的說法,和目前的7nm制程工藝相比,全新的3nm工藝性能能夠提升30%,而功耗則降低50%。當(dāng)然即使到現(xiàn)在大家還尚不清楚究竟什么時(shí)候才是半導(dǎo)體工藝的極限,有人稱3nm或許就是在目前科技下半導(dǎo)體的極限。
臺(tái)積電首次公開3nm制程:基于FinFET工藝,2021年試產(chǎn)














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