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三星之前為了對(duì)抗英特爾的傲騰內(nèi)存，打造了Z-NAND閃存，性能可以說碾壓傳統(tǒng)的NAND閃存，此外還可以讓GPU直連Z-NAND閃存，從而獲得更加出色的性能表現(xiàn)，可以說Z-NAND閃存就像是傳統(tǒng)NAND閃存以及DRAM內(nèi)存之間的過渡體，只不過由于成本等原因，最終Z-NAND閃存夭折，當(dāng)然傲騰也基本上退出了歷史舞臺(tái)，不過現(xiàn)在三星計(jì)劃復(fù)活Z-NAND閃存，不知道是不是跟火爆的AI有關(guān)。

三星在2010年的時(shí)候就已經(jīng)提出了Z-NAND閃存的概念，當(dāng)時(shí)就是為了對(duì)抗英特爾的傲騰存儲(chǔ)，作為DRAM內(nèi)存與NAND閃存之間的過渡體，三星Z-NAND閃存在性能上比當(dāng)時(shí)的SSD速度快了不少，而如今三星也表示希望全新打造的Z-NAND閃存能夠擁有最高15倍的NAND閃存的速度，并且在功耗上也可以降低80%，也就是說Z-NAND閃存的速度或許將會(huì)達(dá)到幾十甚至上百GB/s。

通過分析發(fā)現(xiàn)，三星Z-NAND閃存估計(jì)采用的是SLC閃存的技術(shù)，因此在速度上能夠比如今的TLC快上很多，此外通過與CPU以及GPU直連從而取得更高的通道帶寬，只不過Z-NAND閃存在成本上更高，并且當(dāng)時(shí)大家對(duì)于數(shù)據(jù)傳輸速度也沒有達(dá)到今天這個(gè)程度。

只不過現(xiàn)在AI對(duì)于算力的需求達(dá)到了前所未有的程度，對(duì)于存儲(chǔ)設(shè)備的速度也提出了更高的要求，這才讓三星重新復(fù)活Z-NAND閃存的研發(fā)，畢竟這些不差錢的AI廠商需要的正是強(qiáng)大的存儲(chǔ)設(shè)備。