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可以說EUV光刻機已經成為了現在炙手可熱的先進產品，基于EUV打造的芯片產品也將成為行業的標桿，不過大家平時熟悉的基于EUV光刻打造的芯片為各種處理器，事實上如今DRAM顆粒也開始陸續引入EUV工藝，以取得更加出色的頻率以及傳輸帶寬，以滿足AI計算與推理所需的嚴苛性能需求，目前美光就表示引入了EUV工藝用于DRAM顆粒的制造，從而讓大容量內存也能實現超高頻率。

根據美光自己的說法，目前內存的制造工藝已經進化到1γnm，與處理器所采用的制程工藝有所不同的是，內存顆粒的制程工藝通常都是小步快跑，按照現在的進度差不多最先進的制程為10nm，而1γnm就是一個接近10nm工藝的一個工藝，當然除了美光之外，三星以及海力士已經在數年之前將EUV工藝進入到DRAM顆粒的制造之中，當然目的就是為了讓DRAM顆粒的性能更加出色，與上代工藝相比，1γnm可以實現最高30%的晶體管密度提升。

與CPU一樣，先進工藝可以讓產品的頻率達到一個新的高度，對于內存也同樣如此，過去高頻內存通常用于主流內存容量，例如16GB以及32GB，而一些面向服務器或者工作站內存盡管容量很大，但是其頻率卻并不高，一方面是為了保持內存的穩定，還有一方面就是制程工藝沒到火候，如今隨著DRAM顆粒工藝制程的提升，生產兼顧超高頻以及大容量內存也就成為了可能，據悉美光可以實現讓128GB容量的內存頻率在9200MHz。

顯然這些內存是為了AI運算等高性能應用場景做準備，有了它們，AI廠商在從事AI訓練以及推理也將得心應手，從而達到更高的效率。