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目前的閃存基本上都是3D NAND，而閃存的層數將會決定閃存的密度，從而提升SSD的容量。目前主流的閃存容量基本上在96層，128層，此外有很多廠商也已經開始量產更高堆疊層數的閃存，比如說西數就宣布成功量產162層的閃存。這一次西數與鎧俠共同發布聲明，稱通過合作成功量產了第六代BiCS NAND閃存，最多擁有162層的閃存堆疊層數。

162層目前并非是業界最高的閃存堆疊層數，比如說像英睿達也就是美光已經研發了232層的NAND閃存。不過西數表示盡管大家都是162層，不過西數的晶圓面積更小，因此可以提供更高的存儲密度，一塊晶圓所能提供的容量也更高。比如說原來一塊晶圓能夠提供70TB的容量，而第六代BiCS NAND閃存可以提供100TB的容量，密度提升了42.8%，從而降低了閃存生產的成本。

隨著閃存堆疊層數的提升，大容量的SSD制造成本應該會大幅下降，SSD的價格也有所下滑，不過閃存的緩外速度可能會有所影響。而西數也表示未來隨著技術的進步，閃存堆疊層數將會達到200層，甚至未來還有可能突破500層。屆時就不一定是TLC閃存的，不知道閃存的壽命以及穩定性屆時能不能有所保證，畢竟現在QLC閃存的口碑實在是過于糟糕。