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在2019年8月的FMS閃存峰會上，東芝宣布了下一代XL-FLASH高速底延遲閃存。它同當前的3D NAND閃存有什么區別？又將會帶來哪些革命性的變化？

首先，XL-FLASH依然是東芝在BiCS架構下打造的NAND型閃存，同樣可以通過立體堆疊來提升存儲密度。但與普通3D閃存不同的是，XL-FLASH瞄準的是高性能應用，具體來說就是高帶寬和低延遲。

高帶寬代表更接近于DRAM內存的讀寫速度，使其能夠在部分環境下部分替代內存的作用。低延遲則是針對NAND閃存的痛點所在，著力于提升4K隨機讀寫效能，提高響應速度。

 高速寫入需求：

 NAND閃存的讀取一直在提速，在升級Toggle閃存接口之后，BiCS閃存能夠支撐起PCIe 4.0以及下一代PCIe技術下對于固態硬盤順序讀取速度的需求。

 但相對而言寫入速度依然是個比較大問題。這個原因應該是比較容易理解的，目前TLC已經取代MLC成為主流，未來還會發展出QLC甚至是PLC閃存，存儲容量增長同時，寫入速度不可避免的有所犧牲。盡管東芝存儲提出將在BiCS5上使用4Plane結構來提振寫入效能，但同讀取相比，寫入依然是短板。

XL-FLASH除了使用SLC構型之外，還一舉將Plane數量提高到16個，徹底釋放了閃存的并發存取能力。

 內存擴充的需要：

 雖然內存的容量和NAND閃存一樣都在進步，但閃存的容量優勢顯然更大一些。在一些需要海量內存的環境中，如果能利用低延遲的特殊類型閃存部分替代DRAM內存，可以帶來更高的性價比。 

數據分層存儲的需要：

 QLC閃存方興未艾，東芝已經在FMS閃存峰會上探討了PLC（5bit per cell）的可行性。在企業級存儲逐漸閃存化之后，不同類型的閃存之間將出現一定的性能斷層，大容量閃存陣列同DRAM內存之間的性能差距也將進一步拉大。XL-Flash是分層存儲理想的高速數據載體。

        我們甚至可以暢想未來或許會有搭載小容量XL-FLASH高性能閃存的3D QLC固態硬盤，它將融高性能和大容量優勢為一體，利用機器學習等技術實現智能化存儲。

 不過XL-FLASH距離大規模量產和消費級實用化還有比較遠的距離。近期關注高性能存儲的朋友可以留意東芝存儲前段時間宣布的RD500/RC500 M.2 NVMe固態硬盤，它們采用了東芝主控搭配新一代96層堆疊BiCS閃存，將為大眾玩家帶來高性能和大容量的存儲新體驗。 

東芝存儲已于2019年10月1日起更名為Kioxia鎧俠，新名稱是是日語kiodu（存儲）和希臘語axia（價值）的組合：融合存儲和價值，通過存儲推動世界進步。