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近期，臺積電在歐洲OIP論壇上公布了其A14制程——也就是1.4nm工藝，性能提升與功耗下降的相關信息。

根據臺積電的說法，A14工藝制程將會采用第二代GAAFET技術與NanoFlex Pro標準單元架構，預計會在2017年年底啟動風險試產，大規模量產要等到2028年。

如果相較于2018年臺積電發布的7nm工藝制程，那么A14的性能在相同功耗下提升了1.83倍，功耗效率則是提升了4.2倍。

從臺積電給出的圖表可以看到，N7、N5、N3E、N2、A14這幾個工藝制程節點性能的提升分別是18%、17%、15%以及16%，性能的提升十分穩定，幾乎是成一條直線。

而這幾個工藝制程的能效提升顯然更加不好控制，在N3E至N2時表現最差，僅有24%，不如N5、N3的能效提升來得明顯。

在論壇上，臺積電也在強調A14制程的功耗表現。臺積電表示A14制程相較于N2制程性能會依然維持在15%至18%之間，而功耗則最多可能降低30%，功耗降低會是臺積電關注的重點。

臺積電還透露，芯片設計師可以利用AI增強的Cadence Cerebrus AI Studio和Synopsys DSO.ai等自動化設計工具探索更廣泛的優化空間，并且自動調整設計參數與布局，去提升芯片性能降低功耗，這可能大約節省7%的總功耗。

臺積電A14工藝制程或將先由中國臺灣新竹寶山Fab20的P3、P4工廠率先推出，產能目標為每月50000片晶圓，而蘋果、英偉達、AMD或將會是臺積電A14的首批客戶。