準(zhǔn)備彎道超車！三星啟動(dòng)1nm工藝研發(fā)，力求2029年量產(chǎn)

拖把 / 2025-04-10 18:0050032

據(jù)報(bào)道，為了應(yīng)對(duì)臺(tái)積電，三星電子半導(dǎo)體研究所已經(jīng)成立了1nm芯片的工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)，并抽調(diào)了部分參與過2nm等尖端制程的研發(fā)人員加入其中，掉隊(duì)的三星準(zhǔn)備要搞起彎道超車了。

1nm工藝是三星“夢(mèng)想中的半導(dǎo)體工藝”，想要成功實(shí)現(xiàn)，需要引入全新的技術(shù)概念和高數(shù)值孔徑極紫外（High-NA EUV）設(shè)備。現(xiàn)在在三星公開的晶圓代工工藝路線圖中，目前下一代的尖端工藝是2027年量產(chǎn)1.4nm，量產(chǎn)1nm則是2029年的目標(biāo)。而要想實(shí)現(xiàn)1nm工藝的難度非常巨大，臺(tái)積電自己都在摸索中，所以沒有人敢打包票什么時(shí)候能夠成功量產(chǎn)1nm芯片，但三星無(wú)疑是這里面最著急的。在內(nèi)部，三星集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)李在镕已經(jīng)多次強(qiáng)調(diào)要“延續(xù)重視技術(shù)的傳統(tǒng)”，并表示要“以前所未有的技術(shù)引領(lǐng)未來(lái)”。

在3nm制程爭(zhēng)奪戰(zhàn)中，三星想要另辟蹊徑，拋棄了傳統(tǒng)的FinFET技術(shù)，選擇采用更為先進(jìn)的GAA架構(gòu)，但GAA的水太深，三星沒有把握住，導(dǎo)致其良率大打折扣。反觀仍然選擇“老舊”的FinFET技術(shù)的臺(tái)積電，直接把3nm良率做到了80%以上，直接把三星揍得體無(wú)完膚，讓三星失去了巨大的市場(chǎng)份額，甚至使其在2nm制程上也落后于臺(tái)積電。臺(tái)積電和三星兩大巨頭的商戰(zhàn)，非常形象地演繹了“對(duì)手的失誤就是我們的勝利”這句話的精髓。

落后就要挨打，急了的三星必須抓緊搶時(shí)機(jī)，畢竟任何一個(gè)行業(yè)都不希望看到有企業(yè)一家獨(dú)大，當(dāng)年Intel遙遙領(lǐng)先AMD后就學(xué)會(huì)了擠牙膏，直到AMD打出了漂亮的翻身仗，才有了廣大玩家臉上的笑容。希望三星和臺(tái)積電的這場(chǎng)硬仗，也會(huì)迎來(lái)“AMD YES！”時(shí)刻。

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