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可以說EUV光刻機(jī)已經(jīng)成為了現(xiàn)在炙手可熱的先進(jìn)產(chǎn)品，基于EUV打造的芯片產(chǎn)品也將成為行業(yè)的標(biāo)桿，不過大家平時(shí)熟悉的基于EUV光刻打造的芯片為各種處理器，事實(shí)上如今DRAM顆粒也開始陸續(xù)引入EUV工藝，以取得更加出色的頻率以及傳輸帶寬，以滿足AI計(jì)算與推理所需的嚴(yán)苛性能需求，目前美光就表示引入了EUV工藝用于DRAM顆粒的制造，從而讓大容量內(nèi)存也能實(shí)現(xiàn)超高頻率。

根據(jù)美光自己的說法，目前內(nèi)存的制造工藝已經(jīng)進(jìn)化到1γnm，與處理器所采用的制程工藝有所不同的是，內(nèi)存顆粒的制程工藝通常都是小步快跑，按照現(xiàn)在的進(jìn)度差不多最先進(jìn)的制程為10nm，而1γnm就是一個(gè)接近10nm工藝的一個(gè)工藝，當(dāng)然除了美光之外，三星以及海力士已經(jīng)在數(shù)年之前將EUV工藝進(jìn)入到DRAM顆粒的制造之中，當(dāng)然目的就是為了讓DRAM顆粒的性能更加出色，與上代工藝相比，1γnm可以實(shí)現(xiàn)最高30%的晶體管密度提升。

與CPU一樣，先進(jìn)工藝可以讓產(chǎn)品的頻率達(dá)到一個(gè)新的高度，對于內(nèi)存也同樣如此，過去高頻內(nèi)存通常用于主流內(nèi)存容量，例如16GB以及32GB，而一些面向服務(wù)器或者工作站內(nèi)存盡管容量很大，但是其頻率卻并不高，一方面是為了保持內(nèi)存的穩(wěn)定，還有一方面就是制程工藝沒到火候，如今隨著DRAM顆粒工藝制程的提升，生產(chǎn)兼顧超高頻以及大容量內(nèi)存也就成為了可能，據(jù)悉美光可以實(shí)現(xiàn)讓128GB容量的內(nèi)存頻率在9200MHz。

顯然這些內(nèi)存是為了AI運(yùn)算等高性能應(yīng)用場景做準(zhǔn)備，有了它們，AI廠商在從事AI訓(xùn)練以及推理也將得心應(yīng)手，從而達(dá)到更高的效率。