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前幾天英特爾CEO在接受采訪時表示自家的制程工藝雖然現(xiàn)在不如友商，但是未來就會成為遙遙領(lǐng)先的工藝，起碼領(lǐng)先友商尤其是臺積電2年。這讓臺積電這樣的晶圓代工廠商十分地不滿，表示英特爾這是在吹牛，通過內(nèi)部評估，臺積電的制程工藝要比英特爾更強(qiáng)。當(dāng)然在IEDM 2023國際電子元件會議上，臺積電自己也公布了最新的路線圖，稱將會在2023年實現(xiàn)1nm制程的量產(chǎn)，從而滿足一塊封裝芯片內(nèi)實現(xiàn)1萬億個晶體管的壯舉。

目前臺積電的最新工藝為N3也就是3nm，已經(jīng)應(yīng)用在A17處理器上，主要是增加了能耗比，而到了2025年至2027年，工藝制程就準(zhǔn)備沖擊N2也就是2nm，而這也是臺積電與英特爾大打口水仗的制程，單芯片能夠達(dá)到1000億個晶體管，而整個芯片的封裝最高可以達(dá)到5000億個晶體管，已經(jīng)遠(yuǎn)超現(xiàn)在的芯片。為了實現(xiàn)如此強(qiáng)大的制程，臺積電將會采用EUV極紫外光刻、新材料、金屬氧化物ESL等工藝，以及更加先進(jìn)的封裝技術(shù)。隨后臺積電開始學(xué)習(xí)英特爾的命名方法，將制程工藝命名為A14、A10，應(yīng)該這里的A就是埃的意思，也就是0.1nm。

從臺積電給出的路線圖來看，終極工藝應(yīng)該是A10也就是1nm工藝，在這個工藝上，臺積電希望能夠達(dá)成單核心2000億個晶體管的壯舉，而整個封裝芯片更是可以達(dá)到1萬億個晶體管。目前半導(dǎo)體領(lǐng)域中，英偉達(dá)的計算卡H100擁有單芯片800億個晶體管，也就是說A10工藝能夠?qū)崿F(xiàn)的晶體管數(shù)量是H100的12.5倍，而多芯片則是AMD的MI300X，擁有1350億個晶體管，A10工藝的晶體管數(shù)量是其7.4倍。

而從目前給出的路線圖來看，能夠和臺積電競爭的似乎只有英特爾，之前英特爾也表示將會在2030年實現(xiàn)一萬億個晶體管的壯舉，似乎這兩家是針鋒相對。不過作為目前最為尖端的半導(dǎo)體工藝，制程的跳票并不是什么罕見的事情，加上制造成本的快速提升，屆時如果能在2023年看到A14工藝，估計就謝天謝地了。