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日前，美國NEO半導體公司宣布了全球首款3D內存，可解決內存容量瓶頸，追上SSD。相關專利申請已于2023年4月6日在美國專利申請公告中公布。

NEO是一家存儲芯片技術公司，這次推出的3DX-DRAM號稱全球首款類3D NAND的內存技術，將內存帶入3D時代。其技術思路跟3D NAND閃存類似，通過堆棧層數來提高內存容量，類似閃存芯片中的FBC浮柵極技術，但增加一層Mask就可以形成垂直結構，因此良率高、成本低、密度大幅提升。

根據Neo的估計，3DX-DRAM技術可以通過230層實現128GB的容量，相較于當前16GB的2D DRAM內存實現8倍容量的提升，并且計劃每十年將3DX-DRAM的容量提升8倍，到2035年達到1TB的核心容量，實現總計64倍的容量提升。不過，由于NEO公司并沒有自己的晶圓廠，因此目前尋找授權廠商，如三星、SK海力士、美光、西數、鎧俠等，以便將3DX-DRAM投入生產。