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三星已經宣布成功量產3nm制程工藝，成為行業內首個量產3nm制程的廠商，而且相比較5nm制程工藝，3nm制程工藝看起來更像是更新換代的產品，性能平均提升20%，而功耗也將降低35%。預計明年大家就可以看到三星全新的3nm制程工藝的產品了，當然作為半導體代工行業數一數二的企業，三星在制程更新上也不會停下腳步，據悉在3nm制程之后，三星就將迎來2nm制程工藝，預計在2025年正式量產。

相比較臺積電的制程工藝，三星的制程似乎從7nm開始就日漸落后，尤其是英偉達以及高通這兩個大客戶，采用三星的制程工藝之后，在能效比上并不盡如人意。也遭到了消費者的嘲諷，而三星之前表示將會在3nm制程工藝上采用GAAFET工藝而不是FinFET工藝，從而獲得更加出色的晶體管電氣性能。

相比較3nm制程工藝，三星的2nm制程工藝繼續采用GAA晶體管，不過結構得到進一步的提升與優化，從而讓單位能耗以及性能更加出色。當然現在距離2nm制程工藝還有三年多的時間，變數還比較大，不過與三星相比，臺積電的2nm制程似乎進展的不是很順利，相比較3nm制程性能提升大約在10%左右，那么這一次三星便有可能借助2nm工藝實現對于臺積電的反超。