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英特爾近些年在CPU制造工藝上遇到瓶頸停滯不前，但這Intel在芯片封裝工上也是沒有停下步伐，近些年也是推出了各種先進(jìn)的封裝技術(shù)，其中包括我們熟悉的3D Foveros封裝技術(shù)、橫向拼接Co-EMIB技術(shù)等等。

而英特爾最近推出了一種全新的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)，這套技術(shù)可做到更小的凸點(diǎn)間距，并且可取代當(dāng)今大多數(shù)封裝技術(shù)中使用的“熱壓結(jié)合”工藝。

根據(jù)英特爾介紹，混合鍵合技術(shù)能夠加速實現(xiàn)10微米及以下的凸點(diǎn)間距(Pitch)，提供更高的互連密度、更小更簡單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗(每比特不到0.05皮焦耳)。

Intel目前的3D Foveros立體封裝技術(shù)，可以讓邏輯芯片可以堆疊在一起，而其中的凸點(diǎn)間距在50微米左右，每平方毫米集成大約400個凸點(diǎn)，而應(yīng)用新的混合鍵合技術(shù)，凸點(diǎn)間距縮小到10微米，每平方毫米的凸點(diǎn)數(shù)量更能達(dá)到1萬個，增加了足足25倍。

目前采用混合結(jié)合封裝技術(shù)的測試芯片已于2020年第二季度流片，不過Intel沒有透露會在哪些產(chǎn)品上使用這項技術(shù)。