面積減少40% 美光試產(chǎn)全球第一顆內(nèi)存閃存二合一芯片
Flying195 / 2020-03-12 15:5231511現(xiàn)在的手機都在朝著全面屏和多攝像頭模組的方向發(fā)展,其內(nèi)部留給其他電器元器件的空間越來越少,而如今的5G旗艦手機已經(jīng)將LPDDR5內(nèi)存、UFS 3.0/3.1閃存作為標準配置,而大容量配置采用獨立芯片封裝,對手機內(nèi)部空間的要求更高。

由于傳統(tǒng)手機中的內(nèi)存都是與SoC處理器整合封裝,閃存會占用不少空間,加之5G手機內(nèi)部元器件急劇增加、結構非常復雜,整體設計難度也大大增加。
而現(xiàn)在美光宣布,已經(jīng)成功試產(chǎn)了全球第一個將LPDDR5 DRAM內(nèi)存顆粒、96層堆疊3D NAND閃存顆粒整合封裝在一起的芯片“uMCP5”。通俗的來說,就是將內(nèi)存與“硬盤”封裝在一起,從而減小體積,為手機這類內(nèi)部空間狹小的電子設備讓出更多空間。

美光表示,uMCP5相比傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存雙芯片組合可以節(jié)省40%的面積,同時內(nèi)存和存儲帶寬比上代方案提升50%。
美光uMCP5單芯片整合了12GB容量、6400MHz頻率、第二代10nm級工藝制造的雙通道LPDDR5內(nèi)存,256GB容量、96層堆疊、UFS接口的3D TLC閃存,以及板載控制器,對外則是297針標準BGA封裝,目前這一批集成芯片已經(jīng)向特定客戶提供樣品,不過并未披露具體都有誰。
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