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現(xiàn)在的手機都在朝著全面屏和多攝像頭模組的方向發(fā)展，其內(nèi)部留給其他電器元器件的空間越來越少，而如今的5G旗艦手機已經(jīng)將LPDDR5內(nèi)存、UFS 3.0/3.1閃存作為標準配置，而大容量配置采用獨立芯片封裝，對手機內(nèi)部空間的要求更高。

由于傳統(tǒng)手機中的內(nèi)存都是與SoC處理器整合封裝，閃存會占用不少空間，加之5G手機內(nèi)部元器件急劇增加、結構非常復雜，整體設計難度也大大增加。

而現(xiàn)在美光宣布，已經(jīng)成功試產(chǎn)了全球第一個將LPDDR5 DRAM內(nèi)存顆粒、96層堆疊3D NAND閃存顆粒整合封裝在一起的芯片“uMCP5”。通俗的來說，就是將內(nèi)存與“硬盤”封裝在一起，從而減小體積，為手機這類內(nèi)部空間狹小的電子設備讓出更多空間。

美光表示，uMCP5相比傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存雙芯片組合可以節(jié)省40％的面積，同時內(nèi)存和存儲帶寬比上代方案提升50％。

美光uMCP5單芯片整合了12GB容量、6400MHz頻率、第二代10nm級工藝制造的雙通道LPDDR5內(nèi)存，256GB容量、96層堆疊、UFS接口的3D TLC閃存，以及板載控制器，對外則是297針標準BGA封裝，目前這一批集成芯片已經(jīng)向特定客戶提供樣品，不過并未披露具體都有誰。