當(dāng)固態(tài)硬盤分區(qū)后SLC緩存會發(fā)生怎樣的變化?
Flying195 / 2019-12-05 09:4763666作為一個科技編輯,已經(jīng)測試過眾多固態(tài)硬盤,身邊的抽屜里也堆滿了各種固態(tài)硬盤,每次看到滿抽屜的固態(tài)硬盤就在思考,一抽屜的豪宅究竟能住進(jìn)去多少???其實是思考如何用一抽屜的固態(tài)硬盤做些內(nèi)容滿足每天的工作考核。

回想下現(xiàn)在的固態(tài)硬盤評測,大家似乎都是提前說好了只在一個分區(qū)下對固態(tài)硬盤進(jìn)行軟件跑分,SLC緩存測試,實際文件拷貝測試。可實際使用,尤其是大容量硬盤,最少都會分出一個系統(tǒng)專用盤來安裝系統(tǒng),剩下的安裝存儲各類小軟件小視頻。而TLC固態(tài)硬盤中又有SLC緩存這個設(shè)定,SLC緩存會受到剩余空間的影響而動態(tài)調(diào)節(jié)大小。
那么問題來了:
日常使用時對硬盤進(jìn)行分區(qū),固態(tài)硬盤的SLC緩存以及性能是不是會隨著分區(qū)空間的變化而發(fā)生變化呢,所以本篇文章就針對分區(qū)會給固態(tài)硬盤的SLC緩存造成什么影響進(jìn)行測試。
測試產(chǎn)品選擇三星970 EVO Plus 1T和金士頓KC2000 1T作為測試樣品。

為什么選擇這兩款產(chǎn)品呢,一是因為三星970 EVO Plus 知名度夠高,具有一定代表性。二是金士頓KC2000的SLC緩存比較大,與三星SLC緩存機(jī)制相似,理論上更容易觀測出SLC緩存的變化方式,還能與三星做對比。
PS:其實是因為這兩款硬盤的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)都有,測起來省事~
因為這里僅僅是對PCIE 3.0固態(tài)硬盤的分區(qū)后SLC緩存情況進(jìn)行分析,并不需多好的硬件平臺,所以這里就選擇AMD 3900X搭配技嘉X570 Master電競大師作為測試平臺進(jìn)行測試,接下來不廢話直接進(jìn)入正題。

不分區(qū)(1個分區(qū))
在單一分區(qū)或者說不分區(qū)的情況下,使用HD Tune對固態(tài)硬盤的SLC緩存進(jìn)行測試,三星970 EVO Plus測試文件大小為100G和金士頓KC2000測試文件為200G(100G太小無法消耗完SLC緩存空間)
三星970 EVO Plus 擁有42G左右的固定SLC緩存,緩內(nèi)寫入速度約為2900M /s,緩?fù)鈱懭胨俣燃s為1500M/s。

而金士頓KC2000則是擁有150G容量的固定SLC緩存,緩內(nèi)寫入速度約為1900M/s,緩?fù)鈱懭胨俣燃s為1300M/s。

這種情況下的測試出來的數(shù)據(jù)是我們在網(wǎng)上評測以相同的情況進(jìn)行的測試方式,這也是我們的對照組數(shù)據(jù)。
對半分區(qū)(2個分區(qū))
將兩塊固態(tài)硬盤平均對半分為各占50%的區(qū)域,實際每個區(qū)對應(yīng)466G容量,分別對每區(qū)進(jìn)行緩存測試。三星970 EVO Plus對應(yīng)E盤和G盤;金士頓KC2000對應(yīng)D盤和H盤。
分區(qū)后三星970 EVO Plus D盤和E盤都擁有相同的測試成績,42G固定SLC緩存,緩內(nèi)寫入速度約為2900M /s緩?fù)鈱懭胨俣燃s為1500M/s。


而金士頓KC2000 也是相同情況,擁有150G容量的固定SLC緩存,緩內(nèi)寫入速度約為1900M/s,緩?fù)鈱懭胨俣燃s為1300M/s。


在分為兩個區(qū)后,兩個分區(qū)的HD Tune SLC緩存測試成績基本一致,與不分區(qū)測試的成績同樣保持一致。
五分之一分區(qū)(2個分區(qū))
這里是將硬盤分為2個區(qū),其中一個區(qū)200G約占用整塊盤五分之一空間,另一個區(qū)占用占用五分之四空間。三星970 EVO Plus對應(yīng)E盤(200G)和G盤(731G);金士頓KC2000對應(yīng)D盤(200G)和H盤(731G)。
分區(qū)后三星970 EVO Plus E盤和G盤還是相同的測試成績,42G左右的固定SLC緩存,緩內(nèi)寫入速度約為2900M /s緩?fù)鈱懭胨俣燃s為1500M/s。


而金士頓KC2000 也是相同情況,擁有150G容量的固定SLC緩存,緩內(nèi)寫入速度約為1900M/s,緩?fù)鈱懭胨俣燃s為1300M/s。


這里測試了三種分區(qū)情況,得出的測試結(jié)果卻都是一致,以至于兩塊硬盤的數(shù)據(jù)文字描述都是直接復(fù)制上段測試。
為什么會出現(xiàn)這種情況?這里查閱了下硬盤分區(qū)原理。早些時候使用的是機(jī)械硬盤,分區(qū)時會在磁碟上標(biāo)記本分區(qū)的開始扇區(qū)和終止扇區(qū)位置。當(dāng)分區(qū)完畢后對分區(qū)盤重新讀寫,機(jī)械臂會根據(jù)標(biāo)記位置自動跳過扇區(qū)找尋正確扇區(qū),而固態(tài)硬盤的分區(qū)類似,但不需要磁臂物理尋址,因此處于底層的SLC緩存機(jī)制可以直接“無視”分區(qū)標(biāo)記,直接調(diào)用剩余存儲顆粒模擬SLC緩存。
所以無論半盤分區(qū)還是1:5分區(qū),兩個不同大小的分區(qū)空間都共用相同SLC緩存。只要剩余空間足夠多,無論分區(qū)多大,分區(qū)多少個,固態(tài)硬盤的寫入SLC緩存空間都是固定的。
驗證測試
這里對結(jié)論進(jìn)行驗證:將三星970 EVO Plus分為一個45G和一個886G的兩塊盤;而金士頓分為一個155G和一個776G的兩塊盤,設(shè)置HD Tune分別寫入45G和155G,略高于固態(tài)硬盤緩存。
如果結(jié)論成立,這對兩個小容量的分區(qū)進(jìn)行測試時,測試成績應(yīng)該和空盤一致依然有42G和150G的SLC緩存。


最終測試結(jié)果也證實了這個猜想:
無論固態(tài)硬盤的分區(qū)多大,分區(qū)多少個,只要剩余空間充足,固態(tài)硬盤的寫入SLC緩存空間都是與固態(tài)硬盤不分區(qū)時相同,分區(qū)不會影響到整塊固態(tài)硬盤的SLC緩存。
當(dāng)固態(tài)硬盤分區(qū)后SLC緩存會發(fā)生怎樣的變化?














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